Incidente in un impianto Micron, sospesa momentaneamente la produzione di DRAM

Un impianto di produzione di memorie DRAM della Micron Technology potrebbe limitare momentaneamente la produzione per un incidente interno e, data l’alta domanda delle componenti, ciò potrebbe comportare un ulteriore aumento dei prezzi, già lievitai negli ultimi mesi.
L’impianto coinvolto è la Fab 2 di Taiwan, secondo quanto riporta EETimes – tramite la società di monitoraggio dei prezzi delle memorie, DRAMeXchange – di proprietà di Micron dallo scorso anno, nell’ambito dell’operazione d’acquisto di Inotera (costata 3,2 miliardi di dollari). La Fab è uno dei due impianti situati a Taoyuan.
L’incidente sarebbe stato causato da un malfunzionamento nel sistema di distribuzione dell’azoto che ha causato una contaminazione dei wafer e dei macchinari.
Sempre secondo DRAMeXchange, Micron avrebbe avuto un calo di produttività pari a 60.000 wafer al mese, che avrebbe impattato negativamente del 5,5 % sulla produzione mondiale delle DRAM del mese di luglio.
Un portavoce della Micron ha rassicurato la clientela dicendo che le operazioni di Taoyuan sono state subito ripristinate dopo l’accaduto, scongiurando così un impatto negativo sul business dell’azienda, la quale non cesserà di monitorare la situazione e terrà aggiornati clienti e fornitori.
DRAMeXchange non si mostra molto convinta, e osserva che i lavori per ripulire quanto prodotto dai danni e per riprendere i lavori richiedono non poco tempo, e questo, secondo vari analisti, potrebbe comportare un blocco dell’impianto con vari effetti negativi, in primis sui prezzi delle memorie attualmente sul mercato, e anche probabili ritardi di consegna per il prossimo iPhone ritarderanno (il quale monterà, appunto, memorie della Micron).