Il costo delle memorie DDR4 è soggetto a sbalzi di prezzo notevoli e anche quando questo subisce drastici rialzi, è bene gioire del fatto che le poche industrie produttrici non subiscano battute d’arresto per problemi tecnici o di altro motivo. Rambus, una società conosciuta per lo sviluppo di tecnologie legate alle memorie, ha annunciato di avere un prototipo di memoria DDR5 funzionante. Memorie quelle DDR5 che non dispongono ancora di uno standard definitivo in quanto il Joint Engineering Devices Engineering Council starebbe appunto ancora lavorandoci sopra. Le memorie DDR5 dovrebbero avere il doppio della velocità di trasmissione dati rispetto alla precedenti DDR4. Lo standard attuale è in grado di fornire 3,2 gigabit al secondo, ma le prossime memorie DDR5 arriveranno a 6,4 gigabit al secondo e, in tal modo, la larghezza di banda di memoria aumenterà da 25,6 GB/s a 51,2 GB/s. JEDEC ha parlato della memoria DDR5 con una frequenza base di 4800 MHz, un netto miglioramento rispetto ai kit di memoria recentemente annunciati DDR4-4600. Secondo Luc Seraphin, vice presidente senior e direttore generale di Rambus:

«Questo è il primo prototipo di buffer chip al silicio in grado di raggiungere le velocità necessarie per i prossimi standard DDR5. Le applicazioni ad alta intensità di dati, come ad esempio i grandi calcoli di dati e il machine learning, saranno driver chiave per l’adozione di DDR5»

Le memorie DDR5 non usciranno prima del 2019 e anche allora il nuovo standard sarà disponibile prima per il mercato server e successivamente per quello degli home computer. È certo che le memorie DDR5 diventeranno il nuovo standard proprio come le DDR4 e ancora prima le DDR3 lo furono. Purtroppo, il prezzo della memoria è raddoppiato negli ultimi 12 mesi e probabilmente aumenterà ancora di più.

Sarà interessante vedere come il nuovo standard influenzerà il mercato tenendo presente che le nuove CPU AMD Ryzen abbinate a memorie più veloci aumentano proporzionalmente le prestazioni. Sicuramente i giocatori appartenenti al mercato “enthusiast” saranno più che contenti.

Un impianto di produzione di memorie DRAM della Micron Technology potrebbe limitare momentaneamente la produzione per un incidente interno e, data l’alta domanda delle componenti, ciò potrebbe comportare un ulteriore aumento dei prezzi, già lievitai negli ultimi mesi.
L’impianto coinvolto è la Fab 2 di Taiwan, secondo quanto riporta EETimes – tramite la società di monitoraggio dei prezzi delle memorie, DRAMeXchange – di proprietà di Micron dallo scorso anno, nell’ambito dell’operazione d’acquisto di Inotera (costata 3,2 miliardi di dollari). La Fab è uno dei due impianti situati a Taoyuan.
L’incidente sarebbe stato causato da un malfunzionamento nel sistema di distribuzione dell’azoto che ha causato una contaminazione dei wafer e dei macchinari.
Sempre secondo DRAMeXchange, Micron avrebbe avuto un calo di produttività pari a 60.000 wafer al mese, che avrebbe impattato negativamente del 5,5 % sulla produzione mondiale delle DRAM del mese di luglio.
Un portavoce della Micron ha rassicurato la clientela dicendo che le operazioni di Taoyuan sono state subito ripristinate dopo l’accaduto, scongiurando così un impatto negativo sul business dell’azienda, la quale non cesserà di monitorare la situazione e terrà aggiornati clienti e fornitori.
DRAMeXchange non si mostra molto convinta, e osserva che i lavori per ripulire quanto prodotto dai danni e per riprendere i lavori richiedono non poco tempo, e questo, secondo vari analisti, potrebbe comportare un blocco dell’impianto con vari effetti negativi, in primis sui prezzi delle memorie attualmente sul mercato, e anche probabili ritardi di consegna per il prossimo iPhone ritarderanno (il quale monterà, appunto, memorie della Micron).